JN江南体育 - 中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证：为EUV光刻胶开发做技术储备快科技4月2日消息，据湖北九峰山实验室官微消息，九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队，支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。

　　据介绍，该研究通过巧妙的化学结构设计，以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像形貌与线边缘粗糙度优良、space图案宽度值正态分布标准差（SD）极小（约为0.05）、性能优于大多数商用光刻胶。

　　作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。

　　当半导体制造节点进入到100nm甚至是10 nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。

　　上述具有自主知识产权的光刻胶体系在产线上完整了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。